2SK1948 Todos los transistores

 

2SK1948 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1948
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PL
 

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2SK1948 Datasheet (PDF)

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2SK1948

2SK1948 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0987-0200 (Previous: ADE-208-1335) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, motor control Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZF-A(Package name: TO-3PL)D1.

 8.1. Size:82K  renesas
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2SK1948

2SK1947 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0986-0200 (Previous: ADE-208-1334) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current Built-in fast recovery diode (trr = 140 ns) Suitable for switching regulator, motor control Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZF-A(Package

 8.2. Size:177K  fuji
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2SK1948

 8.3. Size:210K  fuji
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2SK1948

N-channel MOS-FET2SK1940-01FAP-IIA Series 600V 0,75 12A 125W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Avalanche Proof> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristics > Equ

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History: TPCF8103 | IXTH10N60 | RJK03C0DPA | AUIRFU9024N | 2SK1024-01 | CTU20N170 | BSC093N04LSG

 

 
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