2SK2007 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2007
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Encapsulados: TO3P
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2SK2007 datasheet
2sk2007.pdf
2SK2007 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0991-0200 (Previous ADE-208-1339) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for switching regulator, DC - DC converter, motor control Outline RENESAS Package code PRSS0004ZE-A (Package na
2sk2000-r.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
2sk2009.pdf
2SK2009 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK2009 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications High input impedance. Low gate threshold voltage V = 0.5 1.5 V th Excellent switching times t = 0.06 s (typ.) on t = 0.12 s (typ.) off Low drain-source ON resistance R = 1.2 (typ.) DS (ON) Small
2sk2008.pdf
2SK2008 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0992-0200 (Previous ADE-208-1340) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC - DC converter, motor control Outline RENESAS Package code PRSS0003ZA-A (Package na
Otros transistores... 2SK192A , 2SK1934 , 2SK1938-01R , 2SK1947 , 2SK1948 , 2SK1957 , 2SK1968 , 2SK1971 , AO4407 , 2SK2008 , 2SK2038 , 2SK2039 , 2SK2061 , 2SK2062 , 2SK2063 , 2SK2064 , 2SK2094 .
History: 2SK2828 | IPD600N25N3 | IPB180N04S4L-H0 | CRTD030N04L | HM1N60R | 2SK2063 | HM1N50MR
History: 2SK2828 | IPD600N25N3 | IPB180N04S4L-H0 | CRTD030N04L | HM1N60R | 2SK2063 | HM1N50MR
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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