2SK223 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK223
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 0.75 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.024 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
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2SK223 datasheet
2sk223.pdf
Ordering number EN659K N-Channel Junction Silicon FET 2SK223 High Voltage Driver Applications Features Package Dimensions Ultrahigh withstand voltage (VGDS 80V). unit mm Due to low gate leakage currents even at high 2019B voltage, the 2SK223 is suitable for a wide range of [2SK223] application (IGDL=1nA/VDS=50V, ID=1mA). 5.0 4.0 4.0 High yfs ( yfs =
2sk2231.pdf
2SK2231 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SK2231 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.12 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 5.0 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 100 A (max) (V = 60 V) DS Enhancem
Otros transistores... 2SK2064 , 2SK2094 , 2SK2095N , 2SK2114 , 2SK2115 , 2SK212 , 2SK2161 , 2SK2223-01R , STF13NM60N , 2SK2237 , 2SK2280 , 2SK2282 , 2SK2284 , 2SK2286 , 2SK2287 , 2SK2288 , 2SK2299N .
History: CPH3459 | DN3135 | IGT60R070D1 | BTS140A
History: CPH3459 | DN3135 | IGT60R070D1 | BTS140A
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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