BF256C Todos los transistores

 

BF256C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF256C
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.018 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BF256C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:24K  fairchild semi
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BF256C

BF256A/BF256B/BF256CN-Channel RF Amplifiers This device is designed for VHF/UHF amplifiers. Sourced from process 50.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward Gate Current 10 mAPD Total Device Dissipation @TA=25C 350 mWDer

 9.1. Size:37K  onsemi
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BF256C

BF256ABF256A is a Preferred DeviceJFET - General PurposeNChannelNChannel Junction Field Effect Transistor designed for VHF andUHF applications.http://onsemi.com Low Cost TO92 Type Package Forward Transfer Admittance, Yfs = 4.5 mmhos (Min) 1 DRAIN Transfer Capacitance Crss = 0.7 (Typ) Power Gain at f = 800 MHz, Typ. = 11 dB3GATEMAXIMUM RATINGS

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