BF256C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BF256C
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.018 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BF256C

BF256C Datasheet (PDF)

..1. Size:24K fairchild semi
bf256a bf256b bf256c.pdf

BF256A/BF256B/BF256CN-Channel RF Amplifiers This device is designed for VHF/UHF amplifiers. Sourced from process 50.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward Gate Current 10 mAPD Total Device Dissipation @TA=25C 350 mWDer

9.1. Size:37K onsemi
bf256a-d.pdf

BF256ABF256A is a Preferred DeviceJFET - General PurposeNChannelNChannel Junction Field Effect Transistor designed for VHF andUHF applications.http://onsemi.com Low Cost TO92 Type Package Forward Transfer Admittance, Yfs = 4.5 mmhos (Min) 1 DRAIN Transfer Capacitance Crss = 0.7 (Typ) Power Gain at f = 800 MHz, Typ. = 11 dB3GATEMAXIMUM RATINGS

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: