BF256C Todos los transistores

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BF256C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF256C

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.018 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 200 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92

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BF256C Datasheet (PDF)

1.1. bf256a bf256b bf256c.pdf Size:24K _fairchild_semi

BF256C
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BF256A/BF256B/BF256C N-Channel RF Amplifiers This device is designed for VHF/UHF amplifiers. Sourced from process 50. TO-92 1 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage -30 V IGF Forward Gate Current 10 mA PD Total Device Dissipation @TA=25C 350 mW Derate above

5.1. bf256a-d.pdf Size:37K _onsemi

BF256C
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BF256A BF256A is a Preferred Device JFET - General Purpose NChannel NChannel Junction Field Effect Transistor designed for VHF and UHF applications. http://onsemi.com Low Cost TO92 Type Package Forward Transfer Admittance, Yfs = 4.5 mmhos (Min) 1 DRAIN Transfer Capacitance Crss = 0.7 (Typ) Power Gain at f = 800 MHz, Typ. = 11 dB 3 GATE MAXIMUM RATINGS 2 SOURCE Rating Sy

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