2SK2431 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK2431
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK2431

2SK2431 Datasheet (PDF)

..1. Size:28K hitachi
2sk2431.pdf

2SK2431Silicon N-Channel MOS FETApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC-DC converter.OutlineTO-220CFM1D231. GateG2. Drain3. SourceS2SK2431Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to so

..2. Size:213K inchange semiconductor
2sk2431.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2431DESCRIPTIONDrain Current I = 3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching RegulatorsDC-DC Converter,Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dr

8.1. Size:42K sanyo
2sk2434.pdf

Ordering number : EN86062SK2434SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SK2434ApplicationsFeatures Low ON-resistance. High-speed switching. 10V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 450 VGate-to-Source Voltage VGSS 30 V

8.2. Size:53K sanyo
2sk2433.pdf