AP0103GP-HF Todos los transistores

 

AP0103GP-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP0103GP-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 605 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00299 Ohm

Encapsulados: TO220

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AP0103GP-HF datasheet

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AP0103GP-HF

AP0103GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS@Tj=125oC 40V Lower On-resistance RDS(ON) 2.99m Fast Switching Characteristic ID 220A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP0103 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

 7.1. Size:95K  ape
ap0103gmt-hf.pdf pdf_icon

AP0103GP-HF

AP0103GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS@Tj=125oC 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 2.55m Low On-resistance ID 140A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fas

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History: BS107PSTOB | SSW65R090S2 | AOW11S60 | SML20B56

 

 

 


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