AP01N60J-HF Todos los transistores

 

AP01N60J-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP01N60J-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO251

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AP01N60J-HF datasheet

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AP01N60J-HF

AP01N60J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 1.6A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G D S TO-251(J) AP01N60 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology

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AP01N60J-HF

AP01N60H/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 1.6A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial D S TO-252(H) surface mount ap

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AP01N60J-HF

AP01N60P Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Dynamic dv/dt Rating BVDSS 600V Repetitive Avalanche Rated RDS(ON) 8 Fast Switching ID 1.6A Simple Drive Requirement G D TO-220 S RoHS Compliant Description D The TO-220 package is universally preferred for all commercial- industrial applications. The de

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