2SJ0582 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ0582
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SC63
Búsqueda de reemplazo de 2SJ0582 MOSFET
2SJ0582 Datasheet (PDF)
2sj0582.pdf
Power MOSFETs2SJ0582Silicon P-channel power MOSFETUnit: mm6.50.1 Features2.30.15.30.14.350.1 Avalanche energy capability guaranteed0.50.1 High-speed switching No secondary breakdown Applications1.00.1 Non-contact relay0.10.050.50.1 Solenoid drive 0.750.12.30.1(5.3) Motor drive4.60.1(4.35)(3.0) Control e
2sj0536.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Silicon MOSFETs (Small Signal)2SJ0536Silicon P-channel MOSFETUnit: mmSecondary battery packs (Li ion battery, etc.)0.15+0.100.3+0.10.050.0For switching circuits3 Features High-speed switching1 2 S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-(0.65) (0.65)matic insertion
Otros transistores... 2SK2795 , 2SK2845 , 2SK2854 , 2SK2855 , 2SK2881 , 2SK2887 , 2SK2916 , 2SJ0398 , IRF4905 , 2SK2973 , 2SK2974 , 2SK2975 , 2SK2976 , 2SK2977LS , 2SK302 , 2SK303 , 2SK304 .
History: IRFS244B | BSH111BK | 2SK4080-S27-AY
History: IRFS244B | BSH111BK | 2SK4080-S27-AY
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60

