2SJ0582 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ0582
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Encapsulados: SC63
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2SJ0582 datasheet
2sj0582.pdf
Power MOSFETs 2SJ0582 Silicon P-channel power MOSFET Unit mm 6.5 0.1 Features 2.3 0.1 5.3 0.1 4.35 0.1 Avalanche energy capability guaranteed 0.5 0.1 High-speed switching No secondary breakdown Applications 1.0 0.1 Non-contact relay 0.1 0.05 0.5 0.1 Solenoid drive 0.75 0.1 2.3 0.1 (5.3) Motor drive 4.6 0.1 (4.35) (3.0) Control e
2sj0536.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Silicon MOSFETs (Small Signal) 2SJ0536 Silicon P-channel MOSFET Unit mm Secondary battery packs (Li ion battery, etc.) 0.15+0.10 0.3+0.1 0.05 0.0 For switching circuits 3 Features High-speed switching 1 2 S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto- (0.65) (0.65) matic insertion
Otros transistores... 2SK2795 , 2SK2845 , 2SK2854 , 2SK2855 , 2SK2881 , 2SK2887 , 2SK2916 , 2SJ0398 , IRF4905 , 2SK2973 , 2SK2974 , 2SK2975 , 2SK2976 , 2SK2977LS , 2SK302 , 2SK303 , 2SK304 .
History: 2SK2975 | JMH65R600MK | 15N05 | NCE60R360 | AP3P6R0S | MC3406 | SK2307A
History: 2SK2975 | JMH65R600MK | 15N05 | NCE60R360 | AP3P6R0S | MC3406 | SK2307A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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