2SJ0582 Todos los transistores

 

2SJ0582 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ0582
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC63
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SJ0582 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  panasonic
 2sj0582.pdf pdf_icon

2SJ0582

Power MOSFETs2SJ0582Silicon P-channel power MOSFETUnit: mm6.50.1 Features2.30.15.30.14.350.1 Avalanche energy capability guaranteed0.50.1 High-speed switching No secondary breakdown Applications1.00.1 Non-contact relay0.10.050.50.1 Solenoid drive 0.750.12.30.1(5.3) Motor drive4.60.1(4.35)(3.0) Control e

 9.1. Size:101K  panasonic
 2sj0536.pdf pdf_icon

2SJ0582

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Silicon MOSFETs (Small Signal)2SJ0536Silicon P-channel MOSFETUnit: mmSecondary battery packs (Li ion battery, etc.)0.15+0.100.3+0.10.050.0For switching circuits3 Features High-speed switching1 2 S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-(0.65) (0.65)matic insertion

Otros transistores... 2SK2795 , 2SK2845 , 2SK2854 , 2SK2855 , 2SK2881 , 2SK2887 , 2SK2916 , 2SJ0398 , IRF4905 , 2SK2973 , 2SK2974 , 2SK2975 , 2SK2976 , 2SK2977LS , 2SK302 , 2SK303 , 2SK304 .

History: 2SK2926-ZJ

 

 
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