2SK2976 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK2976
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 22 nC
   Tiempo de subida (tr): 280 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 380 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK2976

2SK2976 Datasheet (PDF)

..1. Size:108K sanyo
2sk2976.pdf

Ordering number:ENN6003N-Channel Silicon MOSFET2SK2976DC-DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 4V drive.2083B[2SK2976]6.52.35.00.540.850.71.20.60.51 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source4 : Drain2.3 2.3SANYO : TP2092B[2SK2976]6.5 2.35.0 0.540.50.851 2 30.61.21 : Gate0 to 0.22 :

8.1. Size:164K toshiba
2sk2972.pdf

8.2. Size:42K sanyo
2sk2977 2sk2977ls.pdf

Ordering number:ENN6423N-Channel Silicon MOSFET2SK2977LSDC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 4V drive.2078B[2SK2977LS]4.510.02.83.20.91.21.20.70.751 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO220FI-LSSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditions Rating

8.3. Size:45K hitachi
2sk2978.pdf

2SK2978Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-659B (Z)3rd. EditionJun 1998Features Low on-resistanceRDS(on) = 0.09 typ. (VGS = 4 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5V gate drive devices.OutlineUPAK123D4G1. Gate2. Drain3. Source4. DrainS2SK2978Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)Item

8.4. Size:279K inchange semiconductor
2sk2977ls.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2977LSFEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 22m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: