AP03N70H-HF Todos los transistores

 

AP03N70H-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP03N70H-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP03N70H-HF Datasheet (PDF)

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AP03N70H-HF

AP03N70H/J-HPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Repetitive Avalanche Rated BVDSS 700VD Fast Switching Speed RDS(ON) 4.4 Simple Drive Requirement ID 2.5AG RoHS CompliantSDescriptionThe TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for AC

 4.2. Size:64K  ape
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AP03N70H-HF

AP03N70H/J-H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 700VD Fast Switching Speed RDS(ON) 4.4 Simple Drive Requirement ID 2.5AG RoHS CompliantSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for AC/DCGcon

 5.1. Size:97K  ape
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AP03N70H-HF

AP03N70H/J-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 3.6 Simple Drive Requirement ID 3.3AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialDTO-252(H)Ssurface mount

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History: SSP7N60A | IRFU9N20D

 

 
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