FK10SM-9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FK10SM-9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.92 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Otros transistores... FDV302P , FDV303N , FDV304P , FK10KM-10 , FK10KM-12 , FK10KM-9 , FK10SM-10 , FK10SM-12 , 8N60 , FK10UM-10 , FK10UM-12 , FK10UM-9 , FK10VS-10 , FK10VS-12 , FK10VS-9 , FK14KM-10 , FK14KM-9 .