AP09N70R-H Todos los transistores

 

AP09N70R-H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP09N70R-H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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AP09N70R-H datasheet

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AP09N70R-H

AP09N70R-A-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9A G RoHS Compliant S Description AP09N70 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on- resistance an

 5.2. Size:97K  ape
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AP09N70R-H

AP09N70R-A-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650V D D Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9A G G RoHS Compliant S S Description AP09N70 series are specially designed as main switching devices for universal 90 265VAC off-line AC/DC converter applications.

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AP09N70R-H

AP09N70R RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 600V D D Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9A G G S S Description AP09N70 series are specially designed as main switching devices for universal 90 265VAC off-line AC/DC converter applications.The TO-262 type provi

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