AP09N70R-H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP09N70R-H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP09N70R-H

AP09N70R-H Datasheet (PDF)

5.1. Size:201K ape
ap09n70r-a.pdf

AP09N70R-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9AG RoHS CompliantSDescriptionAP09N70 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-resistance an

5.2. Size:97K ape
ap09n70r-a-hf.pdf

AP09N70R-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650VDD Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9AGG RoHS CompliantSSDescriptionAP09N70 series are specially designed as main switching devices foruniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications.

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ap09n70r.pdf

AP09N70RRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 600VDD Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9AGGSSDescriptionAP09N70 series are specially designed as main switching devices foruniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications.The TO-262 typeprovi

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History: UF740L-TA3-T

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