AP13P15GP-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP13P15GP-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de la puerta (Qg): 38 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP13P15GP-HF
AP13P15GP-HF Datasheet (PDF)
ap13p15gp ap13p15gs.pdf
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ap13p15gs p-hf.pdf
AP13P15GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS -150V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 300m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -13AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGbest combination of fast switching, ruggedized device design
ap13p15gj-hf.pdf
AP13P15GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -150V Simple Drive Requirement RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID -13AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialGDsurface mount application
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History: UTT30P06G-TA3-T
