AP20T03GT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP20T03GT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP20T03GT-HF

AP20T03GT-HF Datasheet (PDF)

..1. Size:122K ape
ap20t03gt-hf.pdf

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6.1. Size:202K ape
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6.3. Size:238K ape
ap20t03gh.pdf

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