AP2430GN3-HF Todos los transistores

 

AP2430GN3-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2430GN3-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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AP2430GN3-HF Datasheet (PDF)

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AP2430GN3-HF

AP2430GN3-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Bottom Exposed DFN BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 12m Small Size & Lower Profile ID 13A RoHS Compliant & Halogen-FreeD2D1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerG2G1with the best combination of fast switching, ruggedi

 9.1. Size:93K  ape
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AP2430GN3-HF

AP2434GN3-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Bottom Exposed DFN BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 18m Small Size & Lower Profile ID 10.5A RoHS Compliant & Halogen-FreeD2D1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerG2G1with the best combination of fast switching, rugge

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History: AUIRFB4227 | KUK7107-55AIE | TPCA8009-H | HM18N40F | CTD06N017 | P3606HK | AO6801E

 

 
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