AP2430GN3-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP2430GN3-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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AP2430GN3-HF datasheet

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AP2430GN3-HF

AP2430GN3-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Bottom Exposed DFN BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 12m Small Size & Lower Profile ID 13A RoHS Compliant & Halogen-Free D2 D1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer G2 G1 with the best combination of fast switching, ruggedi

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AP2430GN3-HF

AP2434GN3-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Bottom Exposed DFN BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 18m Small Size & Lower Profile ID 10.5A RoHS Compliant & Halogen-Free D2 D1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer G2 G1 with the best combination of fast switching, rugge

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