AP2434GN3-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP2434GN3-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP2434GN3-HF
AP2434GN3-HF Datasheet (PDF)
ap2434gn3-hf.pdf
AP2434GN3-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Bottom Exposed DFN BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 18m Small Size & Lower Profile ID 10.5A RoHS Compliant & Halogen-FreeD2D1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerG2G1with the best combination of fast switching, rugge
ap2430gn3-hf.pdf
AP2430GN3-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Bottom Exposed DFN BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 12m Small Size & Lower Profile ID 13A RoHS Compliant & Halogen-FreeD2D1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerG2G1with the best combination of fast switching, ruggedi
Otros transistores... AP2344GEN-HF , AP2344GN-HF , AP2348GN-HF , AP2422GY , AP2426GEY-HF , AP2428GEY , AP2428GN3 , AP2430GN3-HF , 2SK3878 , 2SK4037 , 2SK404 , 2SK4042 , 2SK410 , 2SK413 , 2SK414 , 2SK415 , 2SK416L .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918