AP2434GN3-HF Todos los transistores

 

AP2434GN3-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2434GN3-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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AP2434GN3-HF Datasheet (PDF)

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AP2434GN3-HF

AP2434GN3-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Bottom Exposed DFN BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 18m Small Size & Lower Profile ID 10.5A RoHS Compliant & Halogen-FreeD2D1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerG2G1with the best combination of fast switching, rugge

 9.1. Size:96K  ape
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AP2434GN3-HF

AP2430GN3-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Bottom Exposed DFN BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 12m Small Size & Lower Profile ID 13A RoHS Compliant & Halogen-FreeD2D1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerG2G1with the best combination of fast switching, ruggedi

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History: CMLDM7003E | AOI1R4A70 | R6046ANZ | WMP80R1K5S

 

 
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