AP2852GO MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP2852GO
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5(4.4) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146(180) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032(0.05) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP2852GO

AP2852GO Datasheet (PDF)

..1. Size:94K ape
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AP2852GOPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETSimple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V G2S2S2Low On-resistance RDS(ON) 32m D2Fast Switching Perfromance G1 ID 5.5A S1S1TSSOP-8D1P-CH BVDSS -30VRDS(ON) 50mDescription ID -4.4AThe Advanced Powe

..2. Size:2582K cn vbsemi
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AP2852GOwww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Lower Gate Charge RDS(ON) 22m Fast Switching Performance ID 6.2A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VRDS(ON) 45mID -5.0AD1 D2G2G1S1 S2Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsN-channel P-channelVDS Drain-Source Voltage 30 -30 VVGS

9.1. Size:94K ape
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AP2851GOPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETSimple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V G2S2S2Low On-resistance RDS(ON) 40m D2Fast Switching Performance G1 ID 5A S1S1TSSOP-8D1P-CH BVDSS -30VRDS(ON) 80mDescription ID -3.3AThe Advanced Power

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