AP3402GEH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP3402GEH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP3402GEH

AP3402GEH Datasheet (PDF)

..1. Size:62K ape
ap3402geh ap3402gej.pdf

AP3402GEH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 35VD Single Drive Requirement RDS(ON) 18m Surface Mount Package ID 38AG RoHS CompliantSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device de

9.1. Size:72K ape
ap3403gh ap3403gj.pdf

AP3403GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow Gate Charge BVDSS -30V DSimple Drive Requirement RDS(ON) 200m Fast Switching ID - 10A GSDescriptionGDSAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to TO-252(H)achieve the lowest poss

9.2. Size:93K ape
ap3405gh-hf.pdf

AP3405GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -8.6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching, TO

9.3. Size:1869K allpower
ap3400.pdf

9.4. Size:2028K allpower
ap3407.pdf

9.5. Size:1473K allpower
ap3407s.pdf

AP3407S / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID = -4.1 A RDS(ON)

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ap3401.pdf

9.7. Size:1290K allpower
ap3400s.pdf

AIIP ERAP3400S DATA SHEET N-Channel pwer MOSFETI Descriptions N MOS N- CHA NNEL MOSFET in a SOT23 Plastic Package. SOT23 oI Features V s(V) = 30V oA lo = 5.8 (VGs = 10V) s 2Ro coN)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: