2SK429S Todos los transistores

 

2SK429S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK429S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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2SK429S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  inchange semiconductor
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2SK429S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK429SFEATURESDrain Current : I = 3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.7(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 8.1. Size:48K  hitachi
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2SK429S

 8.2. Size:232K  inchange semiconductor
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2SK429S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK429DESCRIPTIONDrain Current I = 3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHhigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL VALUE UNITARAMETERV Drai

 8.3. Size:354K  inchange semiconductor
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2SK429S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK429LFEATURESDrain Current : I = 3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.7(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

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History: VBZFB06N02 | SM3106NSU | IRF7484Q | BSC072N04LD | IXTY1N80 | IPD60R2K1CE | AM6411P

 

 
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