2SK429L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK429L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK429L

2SK429L Datasheet (PDF)

..1. Size:354K inchange semiconductor
2sk429l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK429LFEATURESDrain Current : I = 3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.7(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

8.1. Size:48K hitachi
2sk429.pdf

8.2. Size:232K inchange semiconductor
2sk429.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK429DESCRIPTIONDrain Current I = 3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHhigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL VALUE UNITARAMETERV Drai

8.3. Size:286K inchange semiconductor
2sk429s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK429SFEATURESDrain Current : I = 3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.7(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

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Liste

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