AP4085I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4085I

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 134 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm

Encapsulados: TO220F

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AP4085I datasheet

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AP4085I

AP4085I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low G on-resistanc

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AP4085I

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AP4085I

AP4085W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan

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AP4085I

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