AP4409AGEM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP4409AGEM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4409AGEM

AP4409AGEM Datasheet (PDF)

..1. Size:182K ape
ap4409agem.pdf

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0.1. Size:61K ape
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AP4409AGEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS -35VDDD Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5AGSS RoHS CompliantSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switch

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AP4409AGEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35VD Lower On-resistance RDS(ON) 8mG Fast Switching Characteristic ID -85A RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching,

6.1. Size:55K ape
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AP4409AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDDD Low On-resistance RDS(ON) 7.2m Fast Switching Characteristic ID -15AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8 SDDescriptionAP4409A series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technol

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Liste

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