AP4501CGM-HF Todos los transistores

 

AP4501CGM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4501CGM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(4) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8(9.5) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025(0.08) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP4501CGM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  ape
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AP4501CGM-HF

AP4501CGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 25mD1 Fast Switching Performance ID 7AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 80mDescription ID -4AAdvanced Power MOSFETs from APEC provid

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AP4501CGM-HF

AP4501GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VD2D2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 28mD1 PDIP-8 Package ID 7A RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VG2S2RDS(ON) 50mPDIP-8G1S1ID -5.3ADescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with t

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AP4501CGM-HF

AP4501AGEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 20mD1D1 Fast Switching Performance ID 8AG2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VS2G1S1SO-8RDS(ON) 60mDescription ID -4.6AAdvanced Power MOSFETs from APEC

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AP4501CGM-HF

AP4501AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 7AG2S2 P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 50mDescription ID -5.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best co

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History: NCE0224D | CSI460 | BLM9435 | STB85NF3LLT4 | FQI9N08TU | JFPC5N65C | 2SK2740

 

 
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