AP4501GD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4501GD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(5.3) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5(7) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150(180) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.05) Ohm
Encapsulados: PDIP8
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AP4501GD datasheet
ap4501gd.pdf
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ap4501gm-hf.pdf
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History: SL2309A | 2N65G-TM3-T | 2SK3306
History: SL2309A | 2N65G-TM3-T | 2SK3306
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