AP4503AGEM-HF Todos los transistores

 

AP4503AGEM-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4503AGEM-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(5) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5(4.5) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026(0.052) Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4503AGEM-HF datasheet

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AP4503AGEM-HF

AP4503AGEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 26m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 52m Description ID -5A AP4503A series are from Advanced Po

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AP4503AGEM-HF

AP4503AGEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 26m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON)

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AP4503AGEM-HF

AP4503AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D2 N-CH BVDSS 30V D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 6.9A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 36m Description ID -6.3A Advanced Power MOSFETs from APEC p

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AP4503AGEM-HF

AP4503BGO-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement G2 N-CH BVDSS 30V S2 S2 D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 23m G1 Fast Switching Performance S1 ID 6.3A S1 TSSOP-8 D1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V RDS(ON) 35m Description ID -5.2A Advanced Power MOSFETs from APEC

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History: ME2333-G

 

 

 

 

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