AP4511GM-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4511GM-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(6.1) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7(6) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150(165) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025(0.04) Ohm
Encapsulados: SO8
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AP4511GM-HF datasheet
ap4511gm-hf.pdf
AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 25m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 40m Description ID -6.1A Advanced Power MOSFETs from APEC pr
ap4511gm.pdf
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AP4511GH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 P-CH BVDSS -35V S2 G2 RDS(ON) 48m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 D2 designer with
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History: 60N10B | AO6602G | DH012N03I
History: 60N10B | AO6602G | DH012N03I
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Liste
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