AP4513GH-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4513GH-A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7(5.5) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85(90) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032(0.068) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4513GH-A
AP4513GH-A Datasheet (PDF)
ap4513gh-a.pdf
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AP4513GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 42m Fast Switching Performance ID 10AS1G1P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 75mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best
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Liste
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