AP4525GEH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP4525GEH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15(12) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20(15) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100(165) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.042) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4525GEH

AP4525GEH Datasheet (PDF)

..1. Size:192K ape
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AP4525GEHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15AS1G1S2P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 42mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the b

..2. Size:1242K cn vbsemi
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AP4525GEHwww.VBsemi.twN- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNELd 100 % Rg and UIS TestedVDS (V) 40 - 40RDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 0.014RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.016 0.016APPLICATIONSID (A) 50 - 50 CCFL InverterConfiguration N- and P-PairTO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V

0.1. Size:115K ape
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AP4525GEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 42mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the

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AP4525GEM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 40V Simple Drive Requirement D2D2D1 RDS(ON) 28m Low On-resistance D1 ID 6A Fast Switching Performance G2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VG1S1SO-8RDS(ON

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AP4525GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 6AG2S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG1S1SO-8RDS(ON) 42mDescription ID -5AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesi

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Liste

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