AP4563GH-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4563GH-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30(27) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5(5) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105(155) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03(0.036) Ohm
Encapsulados: TO252-4L
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AP4563GH-HF datasheet
ap4563gh-hf.pdf
AP4563GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -7.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de
ap4563gh.pdf
AP4563GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -7.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de
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AP4563GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 30m D1 D1 RoHS Compliant ID 6.7A G2 P-CH BVDSS -40V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 36m Description ID -6A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best
ap4563agh-hf.pdf
AP4563AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 20m Fast Switching Performance ID 9.6A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40V G1 S2 RDS(ON) 36m G2 Description ID -7.3A TO-252-4L D1 D2 Advanced Power MOSFE
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History: IRF8306M | APTC80H29SCTG | 2SK1695
History: IRF8306M | APTC80H29SCTG | 2SK1695
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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