2SK578 Todos los transistores

 

2SK578 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK578
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: 2-21F1B
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SK578 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SK578 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  toshiba
 2sk578.pdf pdf_icon

2SK578

 ..2. Size:284K  inchange semiconductor
 2sk578.pdf pdf_icon

2SK578

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK578FEATURESDrain Current : I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.22(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 9.1. Size:49K  hitachi
 2sk579 2sk580.pdf pdf_icon

2SK578

 9.2. Size:354K  inchange semiconductor
 2sk579l.pdf pdf_icon

2SK578

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579LFEATURESDrain Current : I = 1.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP4543GMT-HF , AP4563AGH-HF , AP4563GH-HF , AP4563GM , AP4569GD , 2SK56 , 2SK559 , 2SK560 , 4435 , 2SK579L , 2SK580L , 2SK579S , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 , 2SK655 , 2SK656 .

History: 2SK1887 | BLS60R036-W | CS12N60FA9H | FMV16N50E

 

 
Back to Top

 


 
.