2SK578 Todos los transistores

 

2SK578 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK578

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: 2-21F1B

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2SK578 datasheet

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2SK578

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2SK578

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK578 FEATURES Drain Current I = 15A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 150V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.22 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

 9.1. Size:49K  hitachi
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2SK578

 9.2. Size:354K  inchange semiconductor
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2SK578

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579L FEATURES Drain Current I = 1.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

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History: STD24N06LT4G | STK630F | PMF250XN | SM1A30NSK | STD3N62K3 | MDV5524URH | SM4309PSKP

 

 

 

 

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