2SK656 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK656
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
Encapsulados: SC72
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2SK656 datasheet
2sk656.pdf
Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK656 2SK656 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 4.0 0.2 Features High-speed switching Small drive current owing to high input impedance Extremely high electrostatic destruction voltage marking 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.27 1.27 Symbol Unit Parameter Rating 2.54 0.15 1 Source VDS V Drain-Source voltage 5
2sk655.pdf
Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK655 2SK655 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 4.0 0.2 Features High-speed switching Radial taping possible marking 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.27 1.27 Symbol Unit Parameter Rating 2.54 0.15 1 Source VDS V Drain-Source voltage 50 2 Drain VGSO V Gate-Source voltage 8 3 Gate ID mA Drain current
Otros transistores... 2SK578 , 2SK579L , 2SK580L , 2SK579S , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 , 2SK655 , STP80NF70 , 2SK657 , AP4569GH , AP4569GM , AP4575GH-HF , AP4575GM-HF , AP4578GD , AP4578GH-HF , AP4578GM-HF .
History: VS3640DB
History: VS3640DB
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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