2SK657 Todos los transistores

 

2SK657 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK657

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm

Encapsulados: SC71

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2SK657 datasheet

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2SK657

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK657 2SK657 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 6.9 0.1 2.5 0.1 1.5 1.5 R0.9 1.0 Features R0.9 High-speed switching Easy automatic- /manual-insertion due to M type package. Self-fix- ing to printed circuits board. 0.85 0.55 0.1 0.45 0.05 3 2 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Symbol Parameter Rating Unit 2.5 2.5 1

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2SK657

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2SK657

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK655 2SK655 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 4.0 0.2 Features High-speed switching Radial taping possible marking 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.27 1.27 Symbol Unit Parameter Rating 2.54 0.15 1 Source VDS V Drain-Source voltage 50 2 Drain VGSO V Gate-Source voltage 8 3 Gate ID mA Drain current

Otros transistores... 2SK579L , 2SK580L , 2SK579S , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 , 2SK655 , 2SK656 , IRFP450 , AP4569GH , AP4569GM , AP4575GH-HF , AP4575GM-HF , AP4578GD , AP4578GH-HF , AP4578GM-HF , AP4800AGM-HF .

History: WML20N70D1 | SM1A11NSK | AOB2144L | WMN28N65F2

 

 

 


History: WML20N70D1 | SM1A11NSK | AOB2144L | WMN28N65F2

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Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

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