AP4835GM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4835GM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: SO8
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AP4835GM datasheet
ap4835gm.pdf
AP4835GM RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 20m D Fast Switching ID -9.2A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
ap4835gm-hf.pdf
AP4835GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 20m D Fast Switching ID -9.2A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic
ap4835gmt-hf.pdf
AP4835GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -30V SO-8 Compatible RDS(ON) 21m Low On-resistance ID -32A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D D D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugged
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History: AFN4172WSS8 | 2SJ221 | BSR302N | 2SK951-M | IPA60R120C7
History: AFN4172WSS8 | 2SJ221 | BSR302N | 2SK951-M | IPA60R120C7
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Liste
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