AP4880GM Todos los transistores

 

AP4880GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4880GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 516 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4880GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  ape
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AP4880GM

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 7.1. Size:126K  ape
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AP4880GM

AP4880GEMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 25VDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 8.5mDD Low On-resistance ID 14AG RoHS CompliantSSSSO-8DescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast swit

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AP4880GM

AP4880BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID 13AGS RoHS CompliantSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,r

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History: 2SK2607

 

 
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