AP4924GM Todos los transistores

 

AP4924GM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4924GM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4924GM datasheet

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AP4924GM

AP4924GM RoHS-compliant Product Advanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 20V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 35m D1 D1 Fast Switching ID 6A G2 S2 G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G2 ruggedized devic

 9.1. Size:103K  ape
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AP4924GM

AP4920GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 25V D2 D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 25m D1 Fast Switching ID 7A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast s

Otros transistores... 2SK2765-01 , 2SK3496-01MR , 2SK3683-01MR , 2SK4075 , 2SK659 , AP4880BGM-HF , AP4880GM , AP4920GM-HF , AON7403 , AP4933GM-HF , AP4936GM , AP4951GM , AP4951GM-HF , AP4953GM-HF , AP4955GM , AP4957AGM , AP4957GM .

History: STD55N4F5 | 2N6659X | NCE4606 | STG8820 | STW70N65M2 | RD3P200SNFRA | AGM405A

 

 

 

 

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