AP4924GM Todos los transistores

 

AP4924GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4924GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4924GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  ape
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AP4924GM

AP4924GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 20VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 35mD1D1 Fast Switching ID 6AG2S2G1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G2ruggedized devic

 9.1. Size:103K  ape
 ap4920gm-hf.pdf pdf_icon

AP4924GM

AP4920GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 25VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 25mD1 Fast Switching ID 7AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast s

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History: 7N65G-TQ2-T | FDZ202P | HGB200N10SL | IRFSL7540PBF | JCS620FT | HGI090NE6A | BSO201SPH

 

 
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