FRF254H Todos los transistores

 

FRF254H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRF254H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 162 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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FRF254H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:48K  intersil
 frf254.pdf pdf_icon

FRF254H

FRF254D, FRF254R,FRF254H17A, 250V, 0.185 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 17A, 250V, RDS(on) = 0.185TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 9.1. Size:48K  intersil
 frf250.pdf pdf_icon

FRF254H

FRF250D, FRF250R,FRF250H23A, 200V, 0.115 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 23A, 200V, RDS(on) = 0.115TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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History: FDC6320C | SSD04N65 | IRFP453 | FRF250R | SIZ342DT | NCEP85T16

 

 
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