AP4963GEM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4963GEM-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
- Selección de transistores por parámetros
AP4963GEM-HF Datasheet (PDF)
ap4963gem-hf.pdf

AP4963GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2 Lower Gate Charge D1 RDS(ON) 36mD1 Fast Switching Performance ID -6AG2 RoHS Compliant & Halogen-FreeS2G1SO-8S1DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1 G2designer with the b
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History: CSD17571Q2 | FDN338 | IPW60R299CP | 2SK3107C | HM603BK | 3205PL | S10H12S
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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