AP9467GS Todos los transistores

 

AP9467GS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9467GS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP9467GS Datasheet (PDF)

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AP9467GS

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AP9467GS

AP9467GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 11mD Fast Switching Characteristic ID 12AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP9467 series are from Ad

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AP9467GS

AP9467GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristics ID 52AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9467 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest

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AP9467GS

AP9467GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Single Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristics ID 52AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDru

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History: IMW65R027M1H

 

 
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