AP5322GM-HF Todos los transistores

 

AP5322GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP5322GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP5322GM-HF Datasheet (PDF)

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AP5322GM-HF

AP5322GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 100VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 250mD1 Fast Switching Characteristic ID 1.9AG2S2 Halogen Free & RoHS CompliantG1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe be

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AP5322GM-HF

AP5322GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 100VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 250mD1 Fast Switching Characteristic ID 1.9AG2S2 Halogen Free & RoHS CompliantG1SO-8S1DescriptionD2D1AP5322 series are from Advanced Power innovated designand silico

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AP5322GM-HF

AP5321GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 150m Fast Switching Characteristic ID 2.5A Halogen Free & RoHS Compliant ProductD2D2D1Description D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG2S2designer with the best combination

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History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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