AP5521GM-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP5521GM-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5(5) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70(135) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15(0.16) Ohm

Encapsulados: SO8

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AP5521GM-HF datasheet

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AP5521GM-HF

AP5521GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150m D1 Fast Switching Performance ID 2.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 160m Description ID -2.5A Advanced Power MOSFETs from APEC

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AP5521GM-HF

AP5521GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 150m Fast Switching Performance ID 3.1A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S2 RDS(ON) 155m G2 Description ID -3.2A TO-252-4L Advanced Power MOSFETs fro

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AP5521GM-HF

AP5523GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 260m D1 Fast Switching Performance ID 2A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 160m Description ID -2.5A AP5523 series are from Advanced Po

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