AP62T03GH Todos los transistores

 

AP62T03GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP62T03GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AP62T03GH Datasheet (PDF)

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AP62T03GH

AP62T03GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic G ID 54AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP62T03 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowe

 ..2. Size:99K  ape
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AP62T03GH

AP62T03GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic G ID 54ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-252(H)ruggedized device de

 8.1. Size:60K  ape
ap62t02gj ap62t02gh.pdf pdf_icon

AP62T03GH

AP62T02GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 48AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-re

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History: NTJS4405NT1 | AOB409L | SHD225628 | HTD2K4P15T | HM1607D | NCE85H21C

 

 
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