AP6900GSM MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AP6900GSM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP6900GSM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4(2.2) W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7(9.8) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7(6) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160(205) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03(0.022) Ohm

Encapsulados: SO-8

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AP6900GSM datasheet

..1. Size:134K ape
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AP6900GSM Pb Free Plating Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE S1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 30m G1 Fast Switching Performance ID 5.7A S2/A CH-2 BVDSS 30V G2 D1 SO-8 RDS(ON) 22m D1 Description ID 9.8A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1

0.1. Size:127K ape
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AP6900GSM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE S1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 30m G1 Fast Switching Performance ID 5.7A S2/A RoHS Compliant CH-2 BVDSS 30V G2 D1 D1 SO-8 RDS(ON) 22m Description ID 9.8A Advanced Power MOSFETs from APEC p

7.1. Size:119K ape
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AP6900GH-HF Preliminary Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Fast Switching Performance RDS(ON) 6.2m Two Independent Device ID 72A Halogen Free & RoHS Compliant Product CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 10m Description ID 45A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 (TAB1) designer with

8.1. Size:743K allpower
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