FRK150H Todos los transistores

 

FRK150H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRK150H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1120 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204AE
     - Selección de transistores por parámetros

 

FRK150H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:48K  intersil
 frk150.pdf pdf_icon

FRK150H

FRK150D, FRK150R,FRK150H40A, 100V, 0.055 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 40A, 100V, RDS(on) = 0.055TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Otros transistores... FRF450R , FRF9150D , FRF9150H , FRF9150R , FRF9250D , FRF9250H , FRF9250R , FRK150D , STP80NF70 , FRK150R , FRK160D , FRK160H , FRK160R , FRK250D , FRK250H , FRK250R , FRK254D .

History: IRF7406PBF | FDN338 | IXFF80N50Q2 | 2SK3107C | AP4N3R6H | AFN8816 | S10H12S

 

 
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