AP75N07GS-HF Todos los transistores

 

AP75N07GS-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP75N07GS-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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AP75N07GS-HF Datasheet (PDF)

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AP75N07GS-HF

AP75N07GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 80AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching, TO-220(P)DSruggedized device design,

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AP75N07GS-HF

AP75N07GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 80AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAP75N07 series are from Advanced Power innovated

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AP75N07GS-HF

AP75N07GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 80AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D

 

 
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