AP80T10GP-HF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AP80T10GP-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP80T10GP-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO-220

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AP80T10GP-HF datasheet

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