AP85U03GH-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP85U03GH-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: TO-252

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AP85U03GH-HF datasheet

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AP85U03GH-HF

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AP85U03GH-HF

AP85U03GH www.VBsemi.tw www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.002 at VGS = 10 V 100 30 72 nC 0.003 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Chan

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AP85U03GH-HF

AP85U03GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 5m Low On-resistance ID 82A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedi

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AP85U03GH-HF

AP85U03GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized d

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