AP85U03GMT-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP85U03GMT-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: PMPAK5X6

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AP85U03GMT-HF datasheet

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AP85U03GMT-HF

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AP85U03GMT-HF

AP85U03GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 5m D Fast Switching Characteristic ID 18.6A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combinatio

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AP85U03GMT-HF

AP85U03GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized d

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AP85U03GMT-HF

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