FRK250R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FRK250R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 600 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO204AE
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FRK250R
FRK250R Datasheet (PDF)
frk250.pdf
FRK250D, FRK250R,FRK250H27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 27A, 200V, RDS(on) = 0.100TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
frk250.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FRK250DESCRIPTION27A, 200V, RDS(on) = 0.1Second Generation Rad Hard MOSFET ResultsFrom New Design ConceptsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSIt is specially designed and processed toexhibit minimal characteristic changes to total dose and neutronexposures
frk254.pdf
FRK254D, FRK254R,FRK254H20A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 20A, 250V, RDS(on) = 0.170TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
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