AP9424GYT-HF Todos los transistores

 

AP9424GYT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9424GYT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
 

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AP9424GYT-HF Datasheet (PDF)

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AP9424GYT-HF

AP9424GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 6.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 18AGSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device desi

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AP9424GYT-HF

AP9420GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3mD Fast Switching Characteristic ID 25AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination

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AP9424GYT-HF

AP9420GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3mD Fast Switching Characteristic ID 25AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP9420 series are fr

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History: FQPF8P10 | PSMN1R2-25YL | BSZ0902NS

 

 
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