AP9432GYT-HF Todos los transistores

 

AP9432GYT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9432GYT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
 

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AP9432GYT-HF Datasheet (PDF)

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AP9432GYT-HF

AP9432GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 14AGSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device desig

 9.1. Size:96K  ape
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AP9432GYT-HF

AP9434GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 22.5mD Fast Switching Characteristic ID 8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP9434 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technol

 9.2. Size:94K  ape
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AP9432GYT-HF

AP9430GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching, DS

 9.3. Size:169K  ape
 ap9435gm-hf.pdf pdf_icon

AP9432GYT-HF

AP9435GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low Gate Charge RDS(ON) 50mD Fast Switching ID -5.3AGS RoHS CompliantSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized devic

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History: AONS38203 | PJP2NA60 | AONS66641T | FQPF9N25CYDTU

 

 
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